無錫啟動國內首個EUV光刻膠技術平臺 打破5nm以下工藝關鍵材料壟斷快訊
標志著中國在EUV光刻膠核心技術領域取得關鍵進展，無錫市政府宣布啟動兩項半導體材料領域重大突破性項目，作為全國首個掌握MOR型光刻膠核心原材料、配方及應用技術的創新平臺。
【TechWeb】近日，在2025集成電路（無錫）創新發展大會上，無錫市政府宣布啟動兩項半導體材料領域重大突破性項目，標志著中國在EUV光刻膠核心技術領域取得關鍵進展，有望打破國外長期壟斷。
全國首個MOR型光刻膠創新平臺落地無錫
大會宣布，"無錫先進制程半導體納米級光刻膠中試線"正式啟動建設。作為全國首個掌握MOR型光刻膠核心原材料、配方及應用技術的創新平臺，該項目研發生產的光刻膠將直接對標世界一流水準，填補國內在EUV光刻膠領域的空白。
MOR型光刻膠（金屬氧化物光阻劑）是專為EUV時代設計的新一代光刻材料，將逐步取代目前DUV光刻膠廣泛使用的CAR化學增幅型光阻劑。作為提高光刻分辨率、縮小柵極距、降低缺陷率的關鍵材料，MOR型光刻膠對實現5nm以下先進工藝制程至關重要。
連續流技術實現光刻膠樹脂合成突破
與此同時，"江蘇（集萃）光刻膠樹脂合成中試線"作為全國唯一采用連續流技術制備光刻膠樹脂的研發平臺同步啟動。該平臺首創了高分子穩定合成的聚合裝備與工藝，為光刻膠生產提供了關鍵原材料保障，形成了完整的技術鏈條。
戰略意義：突破"卡脖子"技術，保障產業鏈安全
EUV光刻膠不僅是制造5nm以下先進工藝芯片的核心材料，也是DRAM內存工藝向EUV時代演進的關鍵支撐。盡管目前NAND閃存尚未全面采用EUV工藝，但未來要進一步提升存儲密度，EUV技術同樣是必由之路。
業內專家指出，無錫此次啟動的兩個項目，不僅解決了EUV光刻膠"卡脖子"問題，更構建了從原材料合成到配方應用的全產業鏈技術能力，為中國半導體產業自主可控提供了關鍵支撐。隨著Intel Panther Lake與AMD Medusa Point等新一代處理器對EUV工藝的依賴加深，這一技術突破的戰略價值將進一步凸顯。
無錫市政府表示，將持續加大對半導體材料領域的研發投入，力爭在三年內實現EUV光刻膠的產業化，為中國半導體產業高質量發展注入新動能。（Suky）
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